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    • 調幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路
      調幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路

      調幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路 針對調幅式電容位移E+E傳感器解調過程中由系統不確定相移導致的信號解調不準確問題,提出了一種基于改進的峰值保持電路的調幅式電容位移傳感測量方法。分析了調幅式電容位移E+E傳感器及其檢測電路的工作原理,在研究調幅信號附加相移產生機理的基礎上,提出了延遲反饋式峰值保持電路,用以去除附加相移對峰值解調的影響。

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    • 真空微電子E+E壓力傳感器的研究
      真空微電子E+E壓力傳感器的研究

      真空微電子E+E壓力傳感器的研究 壓力是過程自動化五大參量中的首要參量,作為壓力信息獲取的核心元件的E+E壓力傳感器,在石油、化工、冶煉、電力、儀器儀表、機械、汽車、智能結構、航空航天、國防等領域中是*、量大面廣的基礎元件,它已經成為現代信息技術的重要組成部分,在當代科技領域中占有十分重要的地位。

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    • 嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究
      嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究

      嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究 壓阻式E+E壓力傳感器是利用半導體材料硅的壓阻效應制成的傳感器,具有靈敏度高,動態響應快,測量精度高,穩定性好,工作溫度范圍寬,易于小型化與微型化,便于批量生產與使用方便等特點。

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    • 碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動力學
      碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動力學

      碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動力學 自碳納米管和硅納米管/線被發現以來,以其特殊的力電特性引起了科學家廣泛的關注。特別是在運用E+E壓力傳感器方面,可以顯著提高傳感器的靈敏度和量程。因此,以碳納米管和硅納米管/線為研究對象,使用分子動力學方法和壓電理論分析了新型的碳納米管和硅納米管/線E+E壓力傳感器的各項力電性能。

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    • 數字式E+E壓力傳感器研究
      數字式E+E壓力傳感器研究

      數字式E+E壓力傳感器研究 機械式壓力開關和有源壓力敏感元件復合組成的E+E壓力傳感器,在高沖擊10000g,寬溫度范圍-40℃~100℃條件下,實現量程范圍0~1MPa的高精度測量,具有模擬線性輸出、TTL電平輸出、數字輸出和數據通信功能的復合E+E壓力傳感器。

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    • 多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補償技術
      多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補償技術

      多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補償技術 多晶硅納米膜是一種具有良好壓阻特性的納米材料,基于多晶硅納米膜的E+E壓力傳感器具有靈敏度高、動態響應好、精度高、穩定性好、易于小型化和批量生產等諸多優點。

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    • 應變式光纖琺珀E+E壓力傳感器
      應變式光纖琺珀E+E壓力傳感器

      應變式光纖琺珀E+E壓力傳感器 光纖琺珀傳感器具有體積小、耐高溫、耐腐蝕等優點可以應用于石油井下、航空航天等復雜的環境中。在157 nm激光器制作光纖琺珀傳感器的基礎之上,提出了兩種MPa量程的E+E壓力傳感器設計方案,封裝了傳感器原理樣品,并進行了性能測試。

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    • MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測電路優化
      MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測電路優化

      MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測電路優化 近年來隨著MEMS傳感器技術的飛躍和進步,微電容傳感器在工藝上實現了易于集成化、功能多樣化以及更加微型化。使得包括微型加速度計、微型溫度傳感器、微型E+E壓力傳感器、醫學傳感器、生物傳感器等得到廣泛應用。

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    • 金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器
      金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器

      金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器 目前,絕大多數大壩滲壓監測系統采用的機電測試設備普遍存在抗干擾能力弱、長期穩定性差、相對誤差、零漂和動漂較大等缺點而很難滿足實際需要。

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    • 多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片
      多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片

      多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片 硅基壓阻式E+E壓力傳感器應用廣泛,在傳感器中具有十分重要的地位。該傳感器的發展方向是小型化、高靈敏度、良好溫度特性和集成化,研究表明多晶硅納米薄膜具有良好的壓阻特性,并較好地應用于體硅E+E壓力傳感器。但該材料現有的的壓阻系數算法理論推導存在一定欠缺,且該材料的應用范圍亟待擴大。

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    • 壓力E+E傳感器仿真平臺的研究
      壓力E+E傳感器仿真平臺的研究

      壓力E+E傳感器仿真平臺的研究 隨著計算機技術的不斷發展,對壓力E+E傳感器新技術的不斷需求,壓力E+E傳感器計算機輔助設計越來越被關注。以實用為原則,基于Visual C++和ANSYS接口技術開發了參數化壓力E+E傳感器有限元分析系統,該系統有助于推動壓力E+E傳感器行業向更高水平發展。

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    • 耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究
      耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究

      耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究 電渦流E+E傳感器是一種非接觸式的位移E+E傳感器,具有頻率響應好,測量分辨率高,無運動部件,性能可靠等優點。常應用于位移測量、無損探傷、厚度測量等方面。但也存在不能在高壓環境下(如液壓系統)工作和對溫度敏感等不足。

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    • 納米位移E+E傳感器信號采集與處理
      納米位移E+E傳感器信號采集與處理

      納米位移E+E傳感器信號采集與處理 隨著現代科學技術的不斷發展,眾多高科技領域均已進入了納米世界,如航天產品的加工與制造、精密元器件的測量、高密度集成電路等等。由于納米尺度具有接近于原子和分子尺寸的特點,一般的常規技術已不再適用,因此,研究納米技術,特別是納米操作與測量技術就成為當前各國研究的熱點方向。

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    • 差分式電容位移E+E傳感器標定平臺
      差分式電容位移E+E傳感器標定平臺

      差分式電容位移E+E傳感器標定平臺 電容位移E+E傳感器作為一種傳統非接觸式E+E傳感器,具有結構簡單、響應時間短、分辨率高、適合在線和動態測量等優點,主要用于位移、角度、振動、加速度、壓力以及濃度等方面的測量,被廣泛用于地球科學、高科技電子、航空航天及工業應用領域。

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    • 電容位移E+E傳感器溫度漂移主動抑制技術
      電容位移E+E傳感器溫度漂移主動抑制技術

      電容位移E+E傳感器溫度漂移主動抑制技術 電容式位移E+E傳感器由于具有分辨率高、頻響高、可實現非接觸式測量等優點,在精密加工、高精度定位、超精密測量等領域得到廣泛的應用。由于電容位移E+E傳感器信號轉換和處理電路存在模擬環節,因此其傳感特性易寄生電容等寄生參數和溫度的影響。

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    • 直線式時柵位移E+E傳感器精度研究
      直線式時柵位移E+E傳感器精度研究

      直線式時柵位移E+E傳感器精度研究 時柵是采用“以時間測空間”的思想原理,*不同于光柵等基于空間精密刻劃技術的各種傳統位移E+E傳感器,歷經十幾年的努力,圓分度時柵位移E+E傳感器的研究已有很大突破,已在計量部門、制造業和國防軍工三大領域獲得快速推廣,充分展現其制造工藝簡單、抗干擾能力強、成本低、智能化程度高等顯著優勢,具有很好的市場前景。

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    • 平面環形微腔的高精度位移E+E傳感器設計
      平面環形微腔的高精度位移E+E傳感器設計

      平面環形微腔的高精度位移E+E傳感器設計 提出了一種可用于原子力顯微鏡的基于平面環形微腔的高精度位移E+E傳感器。E+E傳感器在GaAs薄膜結構上實現了懸臂梁與平面環形微腔的一體化集成,以平面環形微腔的透射譜對懸臂梁位移極其敏感的特性為理論依據,結合了光學E+E傳感器的高精度、高靈敏度特性以及微機械的體積小、工藝成熟等優點。

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    • 線位移E+E傳感器自動校準裝置研究
      線位移E+E傳感器自動校準裝置研究

      線位移E+E傳感器自動校準裝置研究 線位移E+E傳感器在國防軍工產品生產、試驗過程中用途很多,其校準工作在航天航空設備制造和試驗過程中非常重要,線位移E+E傳感器的校準技術決定了E+E傳感器校準的精度和效率,而當前主要使用的線位移校準設備,存在工作效率低、測量可靠性差、測量范圍小(量程在200mm以下)等缺點,難以確定線位移E+E傳感器性能指標的可靠性。

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    • 高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器
      高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器

      高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器 隨著當今社會飛速發展,光纖位移E+E傳感器具有結構簡單、設計靈活、價格低廉等優點,因而在通信、城市建設、醫療、交通、能源和航天等工業中有著廣泛的應用和良好的發展潛力。微位移檢測是常規檢測的基礎,而光纖位移E+E傳感器可實現微距的非接觸測量,因此將光纖傳感技術應用于測量領域,成為技術發展的主導方向,備受人們關注。

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    • 電感位移E+E傳感器及其信號線性化處理
      電感位移E+E傳感器及其信號線性化處理

      電感位移E+E傳感器及其信號線性化處理 電感位移E+E傳感器具有結構簡單可靠、輸出功率大、線性好、抗干擾和穩定性好、價格低廉等特點。它是利用電磁感應原理將機械位移變化轉換成電量輸出的檢測裝置。其作為一種精密的位移檢測部件在很多領域都起著重要的作用。

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