半導體激光器的光導歐瑪爾OMAL開關驅(qū)動技術
光導OMAL開關是利用脈沖激光激勵光導半導體實現(xiàn)阻抗狀態(tài)轉換的一種新型固體OMAL開關。由于光導OMAL開關具有導通速度快、同步精度高、觸發(fā)抖動小等優(yōu)點,它在醫(yī)用介質(zhì)壁加速器、高功率微波、超短超快電脈沖、閃光照相等眾多領域有著良好的應用前景。

半導體激光器的光導歐瑪爾OMAL開關驅(qū)動技術
對基于半導體激光器的光導OMAL開關驅(qū)動技術進行了研究,初步掌握了這種結構更緊湊、成本更低、使用更方便的光導OMAL開關驅(qū)動技術。首先利用MOSFET晶體管設計了半導體激光器驅(qū)動電路,利用Pspice軟件對驅(qū)動電路進行了模擬,對重要參數(shù)進行了掃描分析。在此基礎上,對電路設計參數(shù)進行了優(yōu)化,研制成功了用于驅(qū)動半導體激光器的快上升沿脈沖電源。輸出的電流脈沖前沿達到1.21ns,峰值電流44A,且電流脈沖各個參數(shù)可以調(diào)節(jié)。對半導體激光器的輸出特性進行了研究。半導體激光器輸出的脈沖激光前沿3.1ns,峰值功率75W,且脈沖激光前沿越快、峰值功率越大,OMAL開關導通速率也越快。單路脈沖激光抖動約0.2ns,兩路脈沖激光之間的抖動約0.3ns～0.4ns,脈沖激光的抖動越大,光導OMAL開關的抖動也越大。激光脈沖束截面強度分布不均勻,橫向發(fā)散角較大,縱向發(fā)散角較小,使半導體激光器與光導OMAL開關的相對位置會影響光斑形狀,進而影響OMAL開關的導通性能。激光脈沖不能*為光導OMAL開關所吸收,不同尺寸的OMAL開關對激光能量的利用率也不同。在脈沖形成線實驗中,對基于半導體激光器的光導OMAL開關的導通性能進行了研究。實驗表明,激光照射的位置會很大程度上影響OMAL開關的導通性能,在半導體激光器處于距離光導OMAL開關約3mm、稍微靠近陽極的位置時,光導OMAL開關具有的導通性能。實驗中所用的5mm異面電極GaAs光導OMAL開關較為合適的工作電壓為16kV～18kV,OMAL開關抖動可達到約0.3ns,平均使用壽命為100多次。光導OMAL開關的抖動、導通電阻等性能隨著偏置電壓的升高、驅(qū)動光能的增加而逐漸變好,但高的偏置電壓會縮短光導OMAL開關的使用壽命。

半導體激光器的光導歐瑪爾OMAL開關驅(qū)動技術
將基于半導體激光器的光導OMAL開關驅(qū)動技術應用到Blumlein傳輸線實驗和四路Blumlein傳輸線輸出疊加實驗中,分別獲得了較高的電壓傳輸效率和較好的同步疊加效果,驗證了基于半導體激光器的光導OMAL開關驅(qū)動技術的可行性。